産業用加速器: NTD(Neutron Transmutation Doping)シリコン照射装置
概要
分散型加速器で陽子線を約500MeVまで加速し、金属ウランターゲットに照射する。破砕核反応により発生した大量の中性子をシリコンインゴットに当て、高品質なNTDシリコンを生産する。
＜＜NTDシリコン照射装置概念図＞＞
用途
・原子炉を用いない、安全で低価格なNTDシリコン生産設備
・中性子発生源を複数個所に設置できフラットな中性子束が得られるため、均一な照射によるバラ つきのない高品質なNTDシリコンが得られる
・12インチを超えるようなシリコンであっても均一な照射を実現できるため、半導体製 品コストの 大幅低減を実現できる
仕様
・中性子束のフラット化のため、シリコンインゴットを囲むように複数の中性子源を設置できる
・4中性子源照射、6中性子源照射など、HEBT構成の柔軟な構築を可能とする